本发明涉及一种铁硅磁性薄膜及其制备方法,其成分质量百分比含量为:2.0~10.0wt.%Si,以及余量的Fe。其制备方法包含:将分别含有铁、硅元素的材料以
粉末冶金的方法制备合金靶材;选择单晶硅作为基底材料;将基底材料加热至20‑200℃之间;进行磁场真空蒸镀,真空蒸镀在保护气中进行,所述真空蒸镀的参数为,背底真空度高于7×10
‑5Pa,靶材加热功率为40‑80W,靶基距为45‑80mm,保护气体气压为0.3~2Pa,磁场通过高温磁铁产生,即获得铁硅磁性薄膜。与现有技术相比,本发明制备得到的铁硅磁性薄膜表面均匀,粗糙度低,具有优异的软磁性能,矫顽力低于2Oe,饱和磁感应强度高于9000Oe,且其制备方法的工艺可操作性强,制造成本低,对于磁性薄膜的应用发展前景有重要应用及意义。
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