本发明公开了一种综合利用火法及
湿法冶金方法提纯
多晶硅,特别是采用造渣氧化、真空提纯、定向凝固、酸洗相结合将金属硅中硼、磷、有害金属等元素去除的联合流程。该工艺有流程短、成本低、操作简易等优点。金属硅(Si?99.5~99.9%、TM?1000~2000ppmw),经过造渣除硼—制粉酸洗—真空定向凝固提纯—定向凝固铸锭等工艺处理后,除去原料金属硅中硼、磷及金属杂质元素,并得到方锭形态的6N的太阳能级多晶硅锭产品,其中B≤0.3ppmw、P≤0.5ppmw、TM≤0.2ppmw,电阻率0.5~3Ω·cm,可用于切片的部分≥66%。用该多晶硅锭经开方切片,做成的多晶硅
电池片,衰减后转化率达到16%以上。本发明是一种工业上可大规模实施的低成本、环境污染小、工艺简单、回收率高、产品质量稳定的冶金法生产太阳能级多晶硅的新方法。
声明:
“生产太阳能级多晶硅的新方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)