本发明公开了一种具有高热稳定性和低TCR的富硅Cr-Si基电阻膜及其制备方法,其元素组成及其质量百分比含量为43wt.%Cr,,55wt.%Si,2wt.%Mo;通过
粉末冶金法制备Cr-Si-Mo靶材,采用磁控溅射法制备富硅Cr-Si基电阻膜:本底真空为3×10-3Pa,溅射真空为(0.65~5)×10-1Pa,溅射电压为250~600V,溅射电流为100~300mA,Ar气流量为15~35sccm,膜沉积时间为1~3h;于500℃下N2中退火2h。本发明的电阻温度系数为-8~-25ppm/℃;按GJB1929-94标准进行寿命实验和高温贮存实验后,电阻变化率均满足ΔR/R≤1%,特别适用于精密仪器和高性能集成电路。
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