本发明涉及一种高纯钽靶材的生产方法,其包括(1)将大小为5~10mm*5~10mm的钽块置于氢化炉中进行吸氢;(2)将吸氢完毕的钽破碎成-200目的粉末,置于钢包套中,按一定速率和阶段进行升温和抽气,之后将钢包套置于热等静压机中进行烧结,烧结温度为1100~1500℃,气氛压力为50~200MPa,最后机加工,切割成规定形状,即得。本发明采取
粉末冶金的方法并结合特定的工艺条件,可以获得织构分布均匀、晶粒大小分布均匀且晶粒尺寸小的钽靶材,该靶材具有高沉积速度和较好的膜均一性,产生出较少的电弧和粒子并具有较好的成膜性能。特别是,本发明的方法的工艺过程简单,成本较低。
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