本发明涉及一种材料的表面加工技术,尤其涉及一种互不固溶Cu-C过饱和固溶体的制备方法。该
复合材料基体通过
粉末冶金法制的,然后利用强流脉冲电子束对材料表层进行辐照处理,制备具有铜-碳过饱和固溶体的复合材料。扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察显示:HCPEB辐照技术诱发各种晶体缺陷和超细晶结构为Cu、C原子之间扩散提供通道,X射线分析能谱显示(111)Cu峰向低角区偏移,C的衍射峰下降,可知成功地使部分C原子固溶到Cu晶格中,经计算固溶度最高达2.24%。
声明:
“互不固溶铜-碳过饱和固溶体的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)