本发明一种电子束梯度熔炼提纯
多晶硅的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,涉及一种利用电子束熔炼技术去除多晶硅中磷和金属杂质的方法。该方法采用改变电子束束流大小,产生能量大小不同分布,去除挥发性杂质磷的同时实现定向凝固效果。首先取磷和金属杂质含量高的硅料洗净、烘干后置于电子束熔炼炉中,然后以高束流电子束完全熔化硅料;此后逐渐降低电子束的束流,在小束流下保温;关闭束流后冷却,最后取出硅锭,切去硅锭的顶部得到磷和金属杂质含量较低的硅锭。本发明去除磷和金属杂质效果好,采用电子束除磷和定向凝固去除金属的双重作用,提高提纯效率,减少工艺环节,技术稳定,周期短,节约能源,成本低。
声明:
“电子束梯度熔炼提纯多晶硅的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)