本发明公开一种带有翅片结构的铜铝复合基板,包括铜铝复合基板以及均匀的分布在铜铝复合基板上的若干翅片,铜铝复合基板包括铝基板和铜基板,若干翅片采用冷锻或温锻工艺一体地形成在铝基板上,铝基板和铜基板通过冶金结合成型工艺形成铜铝复合基板,且冶金结合成型工艺温度为500至1000℃、压强为500至1000MPa。本发明带有翅片结构的铜铝复合基板可直接作为IGBT/IGBT/Mosfet等发热量大的电力电子器件的封装底板,且可取代器件封装中传统的平面铜基板,直接集成液冷翅片结构,降低成本,其散热性能比纯铝基板提高30~40%,进而保证铜基板与铝基板的复合强度,便于后期检测和改善。
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