本发明涉及冶金法
多晶硅生产中高效定向凝固除杂的工艺。其技术方案是:a.预热:对坩埚中的硅料进行缓慢预热,预热真空度达到0.8Pa以下,预热温度范围:室温~1200℃,预热时间:6~10h,预热中要求完全保温;b.熔化:缓慢充入氩气至60Pa,保持一定的熔化真空度;温度为1200℃~1550℃之间,时间为5~7h,保温;c.真空:停止充入氩气至5Pa,保持1h,再缓慢充入氩气至60Pa;温度为1550~1440℃之间,真空降压、升压,时间为2~3h;d.定向凝固结晶:连续充入氩气保持60Pa;温度为1440℃~1420℃;时间:22~26h,保温隔热笼逐步开启;e.冷却:连续充入氩气保持80Pa;降低功率1~1.5h后温度降至1200℃,关闭功率后至300℃;冷却时间为10~13h;保温隔热笼开启。使用本发明提纯除杂效果良好。提纯除杂后中金属杂质含量产品达到了6N~7N太阳能多晶硅的等级要求。
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