本发明公开了
芯片或芯片封装的结构,具有机械 上去耦但电耦合到芯片上的多层互连的最终钝化层和端子冶 金。这种去耦使芯片可以经受得住在最终钝化区中的封装应 力,应变从其中的去耦区和柔顺的引线消除,因此芯片上的互 连层面不会感受到外部的封装或其它的应力。这种结构特别适 合于由Cu和低-k的电介质构成的芯片上互连,该低-k的电 介质相对于SiO2具有更差的机 械特性。去耦区在晶片上的所有芯片上延伸。它也可以延伸进 封边或者切割沟槽区以允许芯片切割和在晶片 上的每个芯片周围这种机械去耦特性的保持。
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“用于低-K的互连结构的柔顺的钝化边缘密封” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)