本发明公开了一种低膨胀高导热无磁Mo-Cu-Ni瓷封合金及其制备方法,该合金配方成分范围如下,重量百分比:Mo:70~80wt%Cu:15~20wt%Ni:5~10wt%。本发明合金制备方法:采用
粉末冶金方法即配料、混料压坯、预结、烧结制成合金。本发明合金可以满足电子工业对结构材料的需求,与原用的可伐合金和蒙乃尔合金瓷封材料相比具有:热膨胀系数更接近95%Al2O3瓷和具有高的导热率,焊接工艺简单,机械加工性能好,耐激冷激热,不易开裂等优点。
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