本发明的多个方面包括用于在基板上沉积硅的方法。在某些实施例中,所述方法包括以足以将所述硅沉积在所述基板上的方式来将包含硅的基板暴露于卤代
硅烷。在某些实施例中,所述方法包括提供基板、一或多个气体源以及反应容器,所述反应容器与所述基板和所述一或多个气体源流体连通。在某些实施例中,所述基板是可经受纯化法来处理的低级或冶金级硅。在某些实施例中,反应容器是包括移动床(诸如,包含硅的流化床)的粒子床反应容器,并且所述气体包括卤化物。
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