一种利用硅锡合金提纯
多晶硅的方法。属于冶金领域,提供一种利用硅锡合金提纯多晶硅的方法。将锡粉与工业硅混合后装入
石墨坩埚内,将装有锡粉与工业硅的石墨坩埚放入定向凝固炉中,再将其抽真空,将凝固炉内温度升至1480~1600℃,通入保护气体并调节凝固炉压力,将熔化后的锡粉与工业硅在1480~1600℃下保温3~5h,保温后的合金熔体降温凝固得硅料;切除所得硅料下部的5%~30%,即得太阳能级多晶硅。将工业硅料和锡粉按比例混合,并熔化保温,再以不同冷却速度进行冷却,得到合金体与纯硅进行分离后,测定其分离比。设备和工艺流程简单,体积小,操作方便,而且成本较低,具有广阔的市场前景。
声明:
“利用硅锡合金提纯多晶硅的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)