本发明通过使Cu-W合金或Cu-WC合金的冶金的各条件达到最适化,提供了断路特性和再起弧特性优异的真空断路器。该断路器的触点由含有10~50重量%的Cu形成的导电性成分相和50~90重量%的W(或WC)形成的耐弧性成分的触点材料构成,升温过程中触点材料中的Cu形成的导电性成分相以摄氏测定的熔融起始温度T1和在至少1200℃下加热后的冷却过程中的Cu形成的导电性成分相以摄氏测定的凝固起始温度T2之差(T1-T2)值与熔融起始温度T1的比率,即[(T1-T2)×100/(T1)]在2.8%以下。由此,可兼得断路特性和再起弧特性。
声明:
“真空断路器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)