本发明是一种利用
粉末冶金技术来制备二硅化钼电热元件或耐高温结构件的方法。本发明是将粉体颗粒体积百分比含量为16~64%的Si、0~70%的(Mo1-zWz)Si2、0~40%的Mo3Si、0~50%的(Mo1-zWz)5Si3、以及0~45%的陶瓷和粘土等混合粉料制成胚件,在非氧化环境中进行烧结,其中,烧结温度高于Si相的熔点,低于上述Mo-Si系的三个化合物及它们的共晶体的熔点,z=0~0.5,表示晶体中W原子数对W、Mo原子总数的比例。Si与(Mo1-zWz)5Si3或Mo3Si反应合成(Mo1-zWz)Si2相,并使晶粒直接结合,所以不但可提高材料的高、中、低温性能,降低生产成本,而且适应性广,可满足不同性能和成本要求的二硅化钼元件或构件。
声明:
“二硅化钼电热元件或耐高温结构件的生产方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)