本发明属于用物理冶金技术提纯
多晶硅的技术领域。一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法,将洗净后的多晶硅料及造渣剂均匀混合形成混合料;再预处理:将混合料放入电子束熔炼炉内的熔炼坩埚中,对熔炼坩埚进行坩埚水冷,预热电子枪;采用小束流电子束轰击混合料,混合料熔化后增大电子束至250-500mA进行熔炼,杂质硼在熔炼过程中与碱性造渣剂反应生成气体挥发而去除,冷却凝固得到低硼的多晶硅锭。本发明采用了电子束造渣熔炼的技术,结合了造渣除硼和电子束除去挥发性杂质的特点,工艺更加简单,有效将电子束与造渣工艺结合,工艺条件温和易于操作,生产周期短,节能降耗,提纯效果好,技术稳定,生产效率高。
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