一种本征隔离结构
太阳能电池,它依次包括铝背场/P型晶体硅衬底/本征非晶硅薄膜/N型非晶硅薄膜/透明导电薄膜/银栅线,其中P型晶体硅衬底由冶金法制得。和现有技术相比,本发明采用低成本的冶金法制得的硅材料制造太阳能电池的P型或N型晶体硅衬底,改变了传统电池的结构,克服了由冶金法材料制造的太阳能电池的反向电流大和效率较低的缺点,使得低成本的冶金法硅材料电池得以大规模应用。
声明:
“本征隔离结构太阳能电池及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)