本发明公开了一种50A大电流快恢复二极管的制作方法,包括:提供N型半导体硅材料作为半导体衬底;在N型半导体衬底上掺杂N+型杂质;去除半导体衬底一面的N+型杂质层;在暴露出的N-型
半导体材料上再双杂质掺杂P+型杂质;再采用高温扩散的方法进行重金属铂掺杂;进行第一次掩膜光刻;在钝化槽中刮涂玻璃粉,高温烧结成型,完成PN结玻璃钝化;采用真空溅射法,在硅片两面制作多层金属化层;进行第二次掩膜光刻;将硅片分割成独立的管芯;将
芯片与引线组件冶金键合在一起;采用烧结的方法将芯片、引线组件与管座冶金键合在一起;采用
储能焊,将管帽与底座封焊成型。本发明受环境影响小,工艺成熟、稳定、重复性好,可广泛用于大电流恢复二极管的大批量生产。
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