本发明公开了一种1.3万伏以上超高压、快恢复玻璃封装二极管的制作方法,包括:N型半导体硅材料作为半导体衬底,在N型半导体衬底上掺杂N+型杂质,去除半导体衬底一面的N+型杂质层,在暴露出的N-型
半导体材料上再双杂质掺杂P+型杂质,再进行重金属铂掺杂,采用真空镀膜工艺制作硅片两面的金属化层,多
芯片冶金键合成管芯组件,将硅片分割成所需尺寸的管芯,将分割后的管芯组件与引线组件通过高温烧结冶金键合,玻璃钝化封装,将调制好的玻璃粉糊涂覆在串联的12片管芯上,即完成玻璃封装二极管的制作。本发明产品具有电压高、正向小、反向恢复短、高温工作稳定好,长期工作可靠性高等特点,广泛应用于航空、航天、电子、兵器、船舶等领域。
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