本发明属于
多晶硅提纯领域,具体涉及一种应用于冶金法提纯多晶硅工艺的低温破碎硅锭方法,其特征在于将介质熔炼、定向凝固或电子束熔炼提纯得到的硅锭,经降温至300~400℃时,放入到20~80℃的水或油中,且液面超过硅锭上表面,硅锭在水或油中自然破碎成碎硅料。本发明的优点在于:(1)不再需要借助外力,充分利用硅的物理特性进行低温破碎,节省了人力、物力成本;(2)破碎效果好,沿晶界处破碎,形成的碎硅料大小均匀,不需要再二次破碎,经简单处理后即可用于下一环节生产。
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“应用于冶金法提纯多晶硅工艺的低温破碎硅锭方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)