本发明涉及一种处理物理冶金法单晶硅返工片的方法。其特点是,包括如下步骤:(1)在1#预清洗槽内加入双氧水溶液并且浸没过返工片,溶液中双氧水质量浓度为4%—6%,同时配合超声清洗返工片,控制超声功率及频率范围:1.8kW,频率20—40kHz,时间300s—550s;(2)在2#预清洗槽内加入纯水并且浸没过返工片,控制温度为55℃—65℃,同时配合超声对返工片进行漂洗,控制超声功率及频率范围:1.8kW,频率20—40kHz,时间250s—300s。经过试用证明,采用本发明的方法后,返工硅片表面油污、白斑、手印等脏污经过清洗后完全洗净,降低硅片的报废比例30%以上。
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