本发明公开了一种高导热Cu‑Invar双金属基
复合材料的
粉末冶金制备方法,包括如下制备步骤:(1)选材;(2)筛分;(3)混料;(4)还原;(5)烧结。与其它Cu‑Invar复合材料的制备方法相比,本发明选取较大粒径的Invar合金粉体,采用放电等离子体烧结工艺,降低烧结温度,缩短高温停留时间,制备的Cu‑Invar双金属基复合材料中Invar颗粒分布均匀,性能无各向异性,且界面扩散基本完全抑制,综合性能优异,可用作高性能电子封装热沉材料。
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“高导热Cu-Invar双金属基复合材料的粉末冶金制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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