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改善冶金法多晶硅生长界面的方法

665   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:36:55
一种改善冶金法多晶硅生长界面的方法,包括:(1)将多晶硅硅料装入高纯石英坩埚放入定向凝固炉中,抽真空至炉内真空度< 10Pa;(2)将炉温升至1450?1550℃,熔化硅料;(3)对硅料外场处理,磁强0.15?0.5T,10?30?min;随后炉体以5?10℃/min降温,炉体运动部分以5?10?mm/h下移,硅熔体脱离加热器长晶,1100?1200℃时关闭磁场;(4)长晶后,炉体运动部分以2?4mm/s上升至炉腔中初始位置,后将温度升至1250?1350℃,保温2?5h后冷却,冷却速率< 4℃/min。本发明采用外加静态磁场来调控硅料生长过程中固液界面形态,得到平滑的固液界面,获得了理想的柱状晶粒组织,改善了硅锭质量;工艺环境更友好,与企业现有技术兼容,适用于规模化生产。
声明:
“改善冶金法多晶硅生长界面的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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