本发明提供一种冶金
多晶硅片磷吸杂方法、由所述方法制成的硅片以及由所述硅片制成的
太阳能电池。所述方法包括:腐蚀去除冶金多晶硅片表面损伤层;漂洗硅片并甩干;将硅片置于扩散炉中进行磷吸杂热处理,扩散磷源流量为650~700ml/min,干氧流量为500~700ml/min,扩散温度为920~970℃,扩散时间为30~45min,然后冷却硅片;腐蚀去除硅片表面由于磷扩散形成的吸杂层和PN结;漂洗硅片并甩干,得到磷吸杂后的冶金多晶硅片。所述硅片少子寿命明显提高,由所述硅片制成的太阳能电池的反向漏电流和光衰减明显降低,本发明方法磷吸杂处理扩散时间短,从而生产周期缩短、能耗降低,适于工业化生产。
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“冶金多晶硅片磷吸杂方法及该法制成的硅片和太阳能电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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