本发明涉及半导体用高纯钽靶材的
粉末冶金制备方法,尤其是一种用粉末冶金法制备高性能钽靶材的方法。其特点是,包括如下步骤:(1)将要烧结的钽粉末装入模具中;(2)将模具放入电火花烧结炉中对粉末进行放电等离子烧结;(3)烧结结束后,冷却至不超过160℃后出炉,脱模;(4)对得到的钽靶坯机械加工成所需尺寸即可。采用本发明的方法可以得到粒度均匀、无织构的内部组织,提高靶材性能,本发明方法还具有烧结温度低,可快速烧结出致密钽靶材,靶材内部晶粒均匀细小,无择优取向等特点。
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