一种高温冶金法制备太阳能级
多晶硅的工艺,属于冶金技术领域,步骤包括将二氧化硅原料和碳质还原剂分别进行酸洗和真空预处理,混合后进行电弧冶炼;在冶炼获得的硅中加入造渣剂并在搅拌条件下进行炉外精炼,将炉外精炼结束后获得的硅置于真空感应炉中,抽真空通入保护气体升温至1500~1900℃搅拌精炼10~30min,再抽真空至≤0.1Pa,冷却。该方法可采用现有的常规设备,通过逐步提高纯度的方法,采用相对简单的步骤获得纯度99.9999%以上的高纯度多晶硅。本发明的方法能够产生巨大的经济效益,具有良好的应用前景。
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