本发明涉及冶金级单晶硅
太阳能电池片制造中的镀膜工艺,尤其是一种冶金级单晶硅太阳能电池双层减反膜镀膜工艺。其特点是,包括如下步骤:镀膜机反应腔体内抽真空;通入氨气和
硅烷,时间15s~20s,控制氨气流量6300sccm~6400sccm,硅烷流量1400sccm~1500sccm;第一次镀膜;反应腔体抽真空,再通入氨气和硅烷,时间为15s~20s,控制氨气流量7100sccm~7200sccm,硅烷流量600sccm~700sccm;第二次镀膜;将反应腔体抽真空,然后冲入N2直到常压即可完成。经过试用证明,本发明工艺结合了氮化硅薄膜各方面的优势,达到了优势最大化。
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“冶金级单晶硅太阳能电池双层减反膜镀膜工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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