本发明公开了一种应用于高纯冶金级
多晶硅太阳电池的减反射膜,该减反射膜是由两层膜构成,第一层膜设在高纯冶金级多晶硅太阳电池的硅片衬底的表面,第一层膜的厚度为35~50NM,折射率为2.25~2.35;第二层膜设在第一层膜的表面,第二层膜的厚度为40~55NM,折射率为1.95~2.05;两层膜的成分均为氮化硅;两层膜的综合膜厚为82~89NM,综合折射率2.03~2.12。该减反射膜可以明显降低电池表面对光的反射,提高高纯冶金级(UMG)多晶硅太阳电池的光电转化效率。
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“应用于冶金硅太阳电池的减反射膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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