本发明公开了一种物理冶金法提炼太阳能级硅的方法,其步骤是:首先是利用真空感应熔炼炉,为避免碳的污染,选用高纯氧化物坩锅;其次是在加热过程的同时抽真空;第三是注入保护性气体,当熔炼温度达到一定值时,向坩埚底部注入强氧化性气体(氯气);第四是强氧化气体在搅拌硅熔液的同时与FE-AL-CA-P-V等杂质元素产生化学反应并使其气化,保温;第五是将炼好的硅注入中间包进入定向结晶程序。本发明方法易行,操作方便,加热快,无污染,本发明提炼的硅材料可以达到5N或更高的纯度。
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