本发明公开一种冶金硅中杂质硼的去除方法,包括以下步骤:将冶金硅粉,放在酸中浸泡6小时~48小时酸洗,再清洗、烘干;经酸洗、清洗、烘过的硅粉放入反应器中加热到300℃~700℃,然后通入氧化性气体进行氧化反应,反应时间为6小时~72小时;经加热氧化过的硅粉,放入水或者酸中浸泡1小时~6小时,再清洗干净;浸泡、清洗后的硅粉,在100℃~300℃温度下进行烘烤,烘烤时间为6小时~24小时。采用本发明冶金硅的提纯工艺,由于在较低的温度下完成提纯,操作更加容易简单,同时降低了提纯成本,这样就为后道工序提供优质原料,以满足低成本生产太阳能级
多晶硅的需要。
声明:
“冶金硅中杂质硼的去除方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)