本发明公开了一种冶金键合玻封二极管结构及生产方法,所述结构包括电极A、电极B、
芯片及玻管,所述电极A、电极B和芯片均设置于玻管内,所述芯片与电极A和电极B之间通过扩散焊接实现电气连接,且扩散焊的过渡层材料分别为芯片的上表面金属化层和下表面金属化层,芯片与电极A和电极B之间的扩散焊接和玻管的封接同步完成形成一个整体;所述方法包括元器件组装及烧结步骤。本发明通过高温过程在电极与芯片之间实现冶金键合,具有散热性能好,耐大电流冲击等优点,其工作范围可以从?55℃至175℃;克服了现有技术生产的冶金键合玻封二极管产品抗正向浪涌电流能力和抗反向瞬态功率能力弱等不足。
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