一种冶金硅直接成长为太阳能薄膜硅的工艺及其专用成长设备,将准备好的冶金硅材料电离,产生混合粒子产物,将混合粒子产物导入筛选电磁场中,使仅有需要的硅离子通过筛选电磁场进入正确路径形成高纯度硅离子束,并将高纯度硅离子束射向被转动的成长基片,在成长基片表面均匀沉积,同时通入必要的掺杂反应气体并提供合适温度,即可在成长基片表面获得成长均匀的N型或P型导电的太阳能薄膜硅。专用成长设备则包括相连接的硅离子发生装置、圆弧形的电磁场筛选装置和薄膜沉积装置。本发明无需进行冶金硅的提纯和气化,成本大大降低,能耗少,避免了气化过程涉及到的氯气,生产过程环保,并且设备结构设计合理,产品质量稳定。
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