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氢氧焰等离子体提纯冶金级多晶硅粉体的方法

859   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:36:02
本发明涉及一种氢氧焰等离子体提纯冶金级多晶硅粉体的方法,该方法包括以下步骤:(1)将冶金级硅粉进行超声清洗后,室温下晾干,得到预处理硅粉;(2)将预处理硅粉放入氢氧焰等离子体提纯装置内的送料槽中;(3)打开所述氢氧焰等离子体提纯装置内的氢氧焰产生装置,预产生3~5分钟,以使火焰稳定;(4)打开送料槽,通过调节氢氧焰等离子体提纯装置内的左右控制弹簧的伸长尺寸使斜坡与水平面的夹角为10~40度,此时硅粉颗粒均匀下落并均匀有序地通过火焰,即得提纯后的冶金级多晶硅粉体;该提纯后的冶金级多晶硅粉体落入玻璃容器,收集即可。本发明不但便于实现大规模的生产应用,而且有效降低了能耗及提纯成本,同时也降低了提纯的难度。
声明:
“氢氧焰等离子体提纯冶金级多晶硅粉体的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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