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冶金级多晶硅掺磷吸杂的方法

734   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:36:02
本发明公开了一种冶金级多晶硅生产过程中通过掺磷实现吸杂目的的方法,主要技术方案为:将掺磷后的冶金级多晶硅置于赤磷熔点以下温度300~590℃退火0.5~5小时,使磷在冶金级多晶硅中分布均匀,然后将冶金级多晶硅置于800~1000℃退火0.5~20小时。该方法利用磷在高温半导体内部的扩散,硅晶体中的硅-自间隙原子增多,为金属杂质从替代位置移动到间隙位置提供条件,从而加快金属杂质的扩散。最终,在退火过程中,使金属杂质从位错、晶界等晶体缺陷处释放,并扩散到冶金级多晶硅表面而被捕获,最终到达吸杂的目的。本发明提供的一种冶金硅磷吸杂方法,掺磷吸杂效果较好、工艺较简单、成本较低,适合于工业化生产。
声明:
“冶金级多晶硅掺磷吸杂的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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