本发明提供一种高纯度二氧化硅与冶金级
多晶硅的制法,高纯度二氧化硅的制法是先将预定比例的二氧化硅均匀溶解于氟化氨水溶液中并加热,再加入预定温度的热水于溶液中予以搅拌,并过滤固体残留物,继而将过滤后的溶液降温至室温,可获致氟化硅铵盐晶体,再重复前述二步骤预定次数可获致预定纯度的氟化硅铵盐晶体,再导入大量氨气并以预定温度加热氟化硅铵盐晶体以进行化学反应,即可得到高纯度二氧化硅。而冶金级多晶硅的制法是取氟化硅铵盐为原料,将其置于容器内并通入氢/氩混合气,再加热该容器使氟化硅铵盐、氢/氩混合气产生还原反应,预定时间后停止加热,使该容器自然冷却,待其冷却至适当温度后停止通入氢/氩,最后,即可于该容器内产生冶金级多晶硅粉末。
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“高纯度二氧化硅与冶金级多晶硅的制法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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