本发明涉及物理冶金级硅
太阳能电池制造过程中的扩散工艺,尤其是一种能提升冶金级硅片少子寿命的扩散工艺。其特点是,包括如下步骤:(1)低温进舟、初步升温;(2)通源扩散;(3)恒温推进;(4)降温、退舟。本发明的有益效果是:1.采用喷淋式扩散可节省磷源,同时提高扩散结深的均匀性,并且适合做高方阻;2.针对物理冶金硅的特性,采用双面磷吸杂,增强吸杂效果,提升硅片少子寿命;3.通过温度与时间的协调,有效改善扩散工艺;4.控制通氧与通源量的比例,减少由于直接扩散引起的缺陷,改善PN结结深,也可改善表面钝化效果,提高短路电流与开路电压,进而提升冶金硅太阳能电池转换效率及成品率。
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