本发明涉及一种制备中等纯度的硅的方法,其包括:通过在潜弧电炉中碳热还原二氧化硅制备硼含量低的硅;采用氧气或者氯气对液态硅进行精炼;在10-100Pa的低压下,通过喷射中性气体对已精炼的硅进行处理;偏析凝固。本发明还涉及被设计用作制造电子级或者光电级硅的原材料的中等纯度硅,其组成为(以重量分数计):杂质的总含量为100-400ppm,其中,金属元素的含量为30-300ppm;硼含量为1-10ppm;磷/硼之比为0.5-1.5。
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