本发明公开了一种辉钼矿电极及其制备方法。所述制备方法包括:在惰性氛围下,对高纯度二硫化钼粉体进行高能球磨,并将得到二硫化钼球磨粉压制为柱体,其后将所述柱体在200‑350℃、100‑400Mpa下密封、各向等压地热压1‑6h,得到辉钼矿块体,其后所述块体加工为圆柱形电极。本发明的制备方法工艺简单,可将粉体原料在不经粘结剂作用的情况下,直接加工为高纯度、高致密度、
电化学性能优异的辉钼矿电极。
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