本发明涉及一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备。该设备进料腔、
石墨坩埚、水冷坩埚依次排列,高度逐渐降低;石墨坩埚使用石墨隔离带将坩埚分为熔化区与蒸发区,坩埚为整体加热,加热可使用石墨加热器或中频加热,结构简单;块状或粉末状硅原料由进料腔加入到石墨坩埚进行熔化,当硅水液面高于石墨隔离带后,硅水从熔化区流入到蒸发区;流经蒸发区的硅水流入到水冷坩埚内,完成浇铸。该设备可以在高真空条件下连续熔炼,去除硅中的O、P、N、S、Al、Ca等挥发性杂质。本发明具有高真空、高温、连续熔炼的技术特点,拥有能耗低、无耗材、成本低、易于操作与控制的优点。
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