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形成化合物半导体膜和制作相关电子器件的方法

975   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:35:07
一种形成化合物膜的方法,包括步骤:制备源材料,其包括含有ⅠB-ⅢA族合金的颗粒,至少具有一个ⅠB-ⅢA族合金相,ⅠB-ⅢA族合金在所述源材料中构成大于大约50摩尔百分比的ⅠB族元素及大于大约50摩尔百分比的ⅢA族元素;在一基底上以先质膜形式沉积所述源材料;以及在合适的环境下加热所述先质膜,以形成含有ⅠB-ⅢA-ⅥA族化合物的膜。该方法适用于制造太阳能电池和其它电子器件。
声明:
“形成化合物半导体膜和制作相关电子器件的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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