本发明公开了一种高纯
多晶硅的提纯系统及用该系统制备高纯多晶硅的方法,该系统包括:置于密闭腔体中的硅料熔化装置、电迁移装置和定向凝固装置。硅料熔化装置和电迁移装置通过第一溢流管连接,电迁移装置和定向凝固装置通过第二溢流管连接。该方法的特征是对熔融硅液施加一个垂直于硅液流动方向的水平直流电场,在电场作用下,硅液中阳离子杂质和阴离子杂质分别向阴极和阳极方向迁移,并在两侧电极区域聚集,利用分流挡板使高杂质浓度硅液和高纯硅液分开,并将高纯硅液进行定向凝固铸锭,最终获得高纯多晶硅锭。本发明的优点是可以实现高纯硅的大规模连续提纯生产,具有提纯效果好、设备简单、投资少、生产成本低的优点。
声明:
“高纯多晶硅的提纯系统及提纯方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)