本发明公开了一种太阳能级
多晶硅制备装置,涉及多晶硅的制备装置技术领域。所述装置首先通过钛‑硅合金熔体的硅与二硅化钛的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除硅熔体中的碳、硼、磷等元素,然后进一步铝‑硅合金合金熔体的铝与硅的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除钛、铁等元素,然后通过对多晶硅的提拉实现再次提纯,通过上述三步能够去除多晶硅中的多种杂质,提高制备的太阳能级多晶硅纯度。
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“太阳能级多晶硅制备装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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