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直流电场下定向凝固提纯多晶硅的方法

681   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:34:38
本发明公开了一种在直流电场作用下定向凝固提纯多晶硅的方法,该方法是在多晶硅定向凝固晶体生长过程中,对熔融硅液施加一个与晶体生长方向平行的直流电场,使杂质在电场作用下迅速向电极方向迁移,即阳离子杂质向阴极方向迁移,阴离子杂质向阳极方向迁移,有效降低晶体生长先端液相中的杂质浓度,使后续生长的晶体杂质含量更低,获得比传统定向凝固纯度更高的多晶硅锭。
声明:
“直流电场下定向凝固提纯多晶硅的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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