本发明涉及一种高纯多孔硅制备的方法,属于高纯硅制备技术领域。本发明将硅原料粉碎细磨得到硅粉,利用金属辅助化学刻蚀法在超声外场条件下对硅粉进行刻蚀预处理,采用洗涤剂清洗掉硅粉表面的金属纳米颗粒,过滤分离、烘干得到多孔硅粉;将多孔硅粉置于RTP炉中进行快速热处理,得到热处理多孔硅粉;将热处理多孔硅粉置于酸液中,在温度10~80℃下搅拌浸出1~500min,过滤后经洗涤和烘干处理得到高纯多孔硅。本方法金属辅助化学刻蚀协同超声外场得到的多孔硅粉进行RTP热处理吸杂,使内部的杂质再次析出暴露,再通过酸液浸出得到高纯多孔硅。
声明:
“高纯多孔硅制备的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)