本发明公开了一种去除
多晶硅中硼、磷等杂质的方法,包括以下步骤:以工业硅为原料,用有机溶剂清洗;将硅块破碎后,用碱性溶液浸泡;用300-1000℃的氧气或含氧气的气体氧化;加入王水中搅拌处理;加入到氟化氢和氯化氢的混合水溶液中搅拌处理后分离即得。本发明提供的方法为后续工艺提供了优质原料,满足了生产低成本太阳能级多晶硅的需要,针对性强、流程简单、投资低、环境友好、操作安全、除杂效果明显。
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