本发明提供了用于制备包含总计25wt%至100wt%的贵金属的集电器合金或用于制备纯银的方法,该集电器合金包含0wt%至<97wt%的贵金属银、0wt%至75wt%的至少一种选自金、铂、铑和钯的贵金属以及0wt%至75wt%的至少一种选自铜、铁、锡和镍的非贵金属,该方法包括以下步骤:(1)提供包含总计4wt%至30wt%的贵金属的贵金属残屑,该贵金属残屑包含0wt%至30wt%的贵金属银、0wt%至10wt%的至少一种选自金、铂、铑和钯的贵金属、0wt%至10wt%的至少一种选自铜、铁、锡和镍的非贵金属以及70wt%至96wt%的至少一种耐火无机材料,(2)提供助熔剂,该助熔剂在与来自在步骤(1)中提供的贵金属残屑的耐火无机材料共同熔融期间能够形成熔融炉渣,该熔融炉渣由以下项组成:>35wt%至45wt%的氧化钙、35wt%至45wt%的二氧化硅、15wt%至<20wt%的
氧化铝以及0wt%至<15wt%的一种或多种除氧化钙、二氧化硅和氧化铝以外的耐火无机化合物,(3)在1300℃至1600℃范围内的温度下共同熔融在步骤(1)和(2)中提供的材料,从而形成至少包括一个在另一个之上排列的两个不同密度相的熔体,以及(4)分离上层相和下层相,其中上层相包括或为炉渣相,该炉渣相由以下项组成:>35wt%至45wt%的氧化钙、35wt%至45wt%的二氧化硅、15wt%至<20wt%的氧化铝以及0wt%至<15wt%的一种或多种除氧化钙、二氧化硅和氧化铝以外的耐火无机化合物,并且下层相包括集电器合金或纯银,其中除了任选地作为金属铜上的外部氧化铜层存在的氧化铜外,在该方法中使用的材料都不包含氧化铜。
声明:
“用于制备包含贵金属的集电器合金或纯银的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)