一种基于轴向磁场及超声处理制备太阳能级
多晶硅的方法,将冶金硅表面酸洗、蒸馏水清洗,干燥;将预处理的冶金硅装进高纯石英坩埚内并放入定向凝固炉中,抽真空;将炉温升高至1200~1350℃,保温;向炉腔充入惰性气体;升温至1500~1650℃,保温;得到硅熔体;将炉温降至1420~1570℃;引入轴向磁场和高能超声到硅熔体中;将坩埚以1~20μm/s的速率抽拉出加热区,开始长晶;长晶结束后,关闭励磁系统和停止超声处理,将炉腔内温度降至1000~1300℃;关闭加热系统,冷却。本发明得到的多晶硅材料组织中硅晶粒粗大且垂直于坩埚底部,缺陷少,杂质含量低;工艺成本低、简单;安全可靠、无污染;操作方便。
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