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高纯碳化硅原料的制备方法

940   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:34:11
本发明提供一种高纯碳化硅原料的制备方法,所述方法包括如下步骤:提供高纯硅粉和高纯碳粉;所述高纯硅粉和高纯碳粉充分混合后放置于坩埚,于1400-2200℃的高温炉中形成一次碳化硅料,所述一次碳化硅料压碎后在氧化炉中经过600-1400℃的高温氧化,形成二次碳化硅料;所述二次碳化硅料在高真空炉中经过800-1600℃高温真空脱气,形成三次碳化硅料;所述三次碳化硅料经过湿法化学冶金处理,得到高纯碳化硅原料。
声明:
“高纯碳化硅原料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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