本发明公开了一种低成本的去除冶金硅中杂质硼的方法,采用高温热氧化法首先在冶金硅表面生长二氧化硅薄层,其次通过热处理方式,调控杂质硼在二氧化硅/硅界面处的分凝,以及调控杂质硼过饱和析出、富集并偏析至硅晶界处,使得冶金硅内部的杂质硼扩散到二氧化硅/硅界面附近,然后去除二氧化硅,最后采用化学湿法酸处理,达到去除杂质的目的。本发明提出的新方法的总杂质去除率大于96%,杂质硼去除率大于93%,具有总杂质和硼杂质去除效率高、工艺流程短、生产成本低、污染小等特点,很容易在产业化上进行推广应用。
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