本发明涉及一种光
电化学冶金提取半导体元素的方法,特别是指碲、锗、硒、硅、锡、锑和铋等半导体元素的光电化学提取,属于
湿法冶金技术领域。本发明在电解沉积池内,往阴极引入照射光,通过光电化学沉积,在阴极上得到半导体;电解所用电解液为含半导体元素的导电液体;所述半导体元素包括碲、锗、硒、硅、锡、锑和铋中的至少一种;所述照射光中含有能量大于或者等于所沉积半导体带隙宽度的光子。本发明具有流程短、能耗低、生产效率高、回收率高、成本低、环境友好等优势,便于大规模工业化生产和应用。
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