本发明公开了一种用于HVPE反应炉的限域生长环及氮化物晶体生长方法。本发明采用钨、钌和钼中的一种,或者采用钨、钌和钼中的一种的碳化物或氮化物的限域生长环,经过清洗、退火和激活使限域生长环的功能面具备化学活性;将限域生长环置于反应炉生长区中,生长过程中限域生长环对晶体侧向生长进行限制,从而阻止晶体的边缘生长,遏制生长过程中产生边缘效应,减少生长过程中产生的应力,最终实现厘米级GaN体晶生长;本发明实现方法简单,根据现有的技术水平能够容易实现,并大量推广;限域生长环能够经过热清洗后重复使用,节约了限域生长环的制作成本,经济实用;限域生长环能够根据不同HVPE反应炉生长区的不同结构进行优化设计,通用性强。
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